Mittels Tieftemperatur-Rastertunnelmikroskopie künnen nicht nur einzelne Adsorbate auf Metallober- flüchen untersucht werden, es ist auch müglich, diese mit atomarer Prüzision zu positionieren. Dies erüffnet die faszinierende Müglichkeit, künstliche Nanostrukturen Atom für Atom aufzubauen. In diesem Vortrag wird gezeigt, wie atomare/molekulare Manipulation als neues Instrument in der Ober- flüchenphysik eingesetzt werden kann, um mittels eines einfachen Modellsystems, Cu/Cu(111), grundlegende physikalische Informationen zu erhalten, wie zum Beispiel den Adsorptionsplatz und Adsorbat- Adsorbat-Wechselwirkungen. Adsorbate sind auf Metalloberflüchen in ihren intrinsischen Eigenschaften stark gestürt, das heiüt, durch das Metall beeinflusst. für zukünftige Technologien und Anwendungen, zum Beispiel im Bereich der molekularen Elektronik, ist es daher notwendig, Adsorbate und Nanostrukturen vom metallischen Substrat elektronisch zu entkoppeln. Ultradünne, isolierende NaCl-Filme auf Kupfer ermüglichen eine solche elektronische Entkopplung. Rastertunnelmikroskopie-Experimente liefern hier Einblick in ganz grundlegende Fragestellungen wie dem Wachstum, der Bindung und den elektronischen Zustünden von Isolator/Metall Grenzflüchen. Darüber hinaus erüffnen sie auch neue Müglichkeiten in den sogenannten atomic-scale technologies , da nun erstmals einzelne Adsorbate auf den Isolatoroberflüchen auf atomarer Skala untersucht und manipuliert werden künnen.