Voraussetzung für die Entwicklung einer halbleiterbasierten Spin-Elektronik sind Methoden zur Erzeugung und Detektion spinpolarisierter Ladungsträger. Damit verbunden ist ein wachsendes Interesse an Spinphänomenen in Nanostrukturen. Ich betrachte derartige Spin-Effekte im Ladungstransport durch dimensionsreduzierte Systeme bei tiefen Temperaturen, bei denen Quanteninterferenzeffekte zum Tragen kommen und zusätzliche Möglichkeiten der Kontrolle und Manipulation des Spin-Freiheitsgrades eröffnen. Dazu diskutiere ich zum einen Signaturen der Spin-Relaxation im Transport durch Halbleiter-Quantenpunkte, zum anderen die Erzeugung von Spin-Strömen mit Hilfe eines "Ratschen"-Mechanismus in Nanosystemen, sowie mesoskopische spinpolarisierte Ströme in Graphen, monoatomaren Graphitschichten.